温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RJK0365DPA-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- RJK0365DPA N沟道MOSFET采用现代化DFN5X6-8L封装技术，实现卓越的小型化与高效散热。该器件关键特性包括支持30V的最大漏源电压(VDSS)，能提供稳定的50A连续电流，而其低至6.5mΩ的导通电阻(RD(on))确保了出色的能效和低损耗。广泛运用于电源转换、电机驱动等高电流应用场景，是提升系统性能、实现节能目标的理想半导体组件。
- 商品型号
- RJK0365DPA-HXY
- 商品编号
- C22367094
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
AOD2916采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐