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AOD210-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD210-HXY

耐压:30V 电流:160A

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描述
AOD210 N沟道MOS管,封装采用小型高效的TO-252-2L,专为紧凑型设计和高功率应用打造。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS),并支持高达150A的连续漏极电流(ID),展现强劲电力处理能力。尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on)),有助于大幅降低系统内阻损耗,提升整体效能。广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景,是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。
商品型号
AOD210-HXY
商品编号
C22367135
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3735克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))1.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)87W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)143nC@10V
输入电容(Ciss)6.272nF
反向传输电容(Crss)718pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)1.022nF

数据手册PDF