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FDD1600N10ALZ-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- FDD1600N10ALZ N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，为100V高电压、中等电流应用量身打造。器件提供100V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达10A的连续漏极电流(ID)，确保在高压电路中稳定可靠运行。其导通电阻RD(on)为140mR，虽然并非超低电阻，但足以满足许多通用电源转换、负载开关及基础电机驱动的需求，是兼顾性能与成本效益的理想半导体元件。
- 商品型号
- FDD1600N10ALZ-HXY
- 商品编号
- C22367148
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25.9pF |