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RD3P050SNTL1-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- RD3P050SNTL1 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，针对100V高电压下的中等电流应用设计。该器件提供高达100V的漏源电压(VDSS)和10A的连续漏极电流(ID)，在高压环境中表现出色。尽管其导通电阻RD(on)为140mR，但依旧能在适当的电流级别上确保稳定和有效的功率传输。广泛适用于开关电源、电机驱动控制、电池管理系统等领域，是兼具性能与经济效益的优质半导体元件。
- 商品型号
- RD3P050SNTL1-HXY
- 商品编号
- C22367150
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ST16N10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 15 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器