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BSS7728N-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流0.3A，适用于低功率应用。电压60V，可在特定电路中稳定运行。内阻典型值1000mR，能量损耗较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于小型电子设备的电流调控。
- 商品型号
- BSS7728N-HXY
- 商品编号
- C22367170
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
IRFR110TRPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 0.3A
- RDS(ON) < 2Ω(VGS = 10V时)
- 静电放电等级:人体模型(HBM)≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源