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AOD66406-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- AOD66406 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，针对大电流、高效率应用进行了优化设计。器件支持高达40V的漏源电压VDSS，可稳定承载60A连续漏极电流，满足高强度电力转换需求。其核心优势在于业界领先的7mR导通电阻RD(on)，在保证强大电流传输的同时，显著减少能量损耗，提升系统效能。
- 商品型号
- AOD66406-HXY
- 商品编号
- C22367196
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
DMP3036SSD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关