AOD66406-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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描述
AOD66406 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，针对大电流、高效率应用进行了优化设计。器件支持高达40V的漏源电压VDSS，可稳定承载60A连续漏极电流，满足高强度电力转换需求。其核心优势在于业界领先的7mR导通电阻RD(on)，在保证强大电流传输的同时，显著减少能量损耗，提升系统效能。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOD66406-HXY商品编号
C22367196商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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