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Si2301BDS-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流3A，可满足小功率需求。电压20V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值60mR，能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域，可用于一些对电流要求不高的电子设备进行电流控制。
- 商品型号
- Si2301BDS-HXY
- 商品编号
- C22367202
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
KMA2D4P20SA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)，该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V，ID = - 3A
- 在VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源