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AO3419-HXY

1个P沟道耐压:20V 电流:4.1A

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描述: AO3419 P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，适用于高集成度电路设计。该器件具有卓越的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID可达4.1A，且拥有极低的导通电阻RD(on)，仅为34mR，大大提高了系统能效并减小功耗。广泛应用于电源开关控制、电池保护、负载驱动等方面，以其出色的稳定性和高效能，成为您电子设计工程的理想组件选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AO3419-HXY
商品编号: C22367222
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

IRLML6344PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。