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AO3419-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO3419-HXY

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A

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描述
AO3419 P沟道MOS管,采用紧凑型SOT-23-3L封装,适用于高集成度电路设计。该器件具有卓越的电气性能,最大工作电压VDSS为20V,连续电流ID可达4.1A,且拥有极低的导通电阻RD(on),仅为34mR,大大提高了系统能效并减小功耗。广泛应用于电源开关控制、电池保护、负载驱动等方面,以其出色的稳定性和高效能,成为您电子设计工程的理想组件选择。
商品型号
AO3419-HXY
商品编号
C22367222
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))550mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
输入电容(Ciss)950pF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)165pF

数据手册PDF