温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON6354-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AON6354 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术，集小型化与高效散热于一体，特别适用于高集成度电路设计。该器件提供30V额定电压VDSS，具备高达150A连续电流ID的处理能力，展现卓越的电力传输性能。其2mR超低导通电阻，显著提升系统能效，降低功耗。
- 商品型号
- AON6354-HXY
- 商品编号
- C22367225
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
相似推荐
其他推荐
- NTMFS4935N-HXY
- NTMFS4C05N-HXY
- NTMFS4C55N-HXY
- NTTFS4985NF-HXY
- NTTFS4929N-HXY
- MMBF2201NT1-HXY
- NTR4171P-HXY
- DMP3068L-HXY
- DMP3130L-HXY
- AO3401A-HXY
- AO3481-HXY
- ST3401M23RG-HXY
- Si2300DS-T1-GE3-HXY
- Si2302CDS-T1-E3-HXY
- Si2302ADS-HXY
- Si2302CDS-T1-GE3-HXY
- Si2302DDS-T1-GE3-HXY
- ZXMN2F34FH-HXY
- DMG2302U-HXY
- MGSF1N02LT1-HXY
- XP151A13A0MR-HXY