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ST3401M23RG-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- ST3401M23RG 是一款P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装形式，专为紧凑型电子设计打造。其关键性能指标包括最大漏源电压VDSS为30V，能提供高达4.2A的连续漏极电流ID，同时具备低至45mR的导通电阻RD(on)，确保在开关过程中的高效能与低损耗。广泛应用于电源管理、电池保护系统、负载开关控制及其他需要低电压、中等电流切换功能的电子设备中。
- 商品型号
- ST3401M23RG-HXY
- 商品编号
- C22367237
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
NTR4171P采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 4.2A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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