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MGSF2N02EL-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流2.3A，能满足一定小功率需求。电压20V，可在特定电路环境稳定运行。内阻典型值48mR，能量损耗相对较高。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- MGSF2N02EL-HXY
- 商品编号
- C22367249
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
MGSF1N02LT1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 2.3 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 60 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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