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FDN358P-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- FDN358P 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，针对高效率、小尺寸电子设计。该器件具有30V的高工作电压VDSS，提供稳定的4.1A电流ID，同时拥有48mR的低导通电阻，确保在中高功率应用中实现卓越的能效表现。广泛运用于电源开关控制、电池保护及各类中等电流负载驱动场景，是电路设计者追求高效、节能解决方案的理想之选。
- 商品型号
- FDN358P-HXY
- 商品编号
- C22367264
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
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