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NTTFS030N06C-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTTFS030N06C-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
此场效应管为N型,电流30A,适用于特定功率场合。电压60V,能在相应电路中稳定运行。内阻典型值24mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
商品型号
NTTFS030N06C-HXY
商品编号
C22367285
商品封装
DFN3x3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.060302克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

NTTFS030N06C采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS)= 60V,漏极电流(ID)= 20A
  • 栅源电压(VGS)= 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON))< 30mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF