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NTMFS4C025N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- NTMFS4C025N 型号N沟道MOS管采用DFN3X3-8L封装，实现小型化与高效散热，满足高密度电路板设计需求。器件额定电压VDSS为30V，具备强大的100A连续电流ID承载能力，彰显卓越的电力控制性能。其4mR的超低导通电阻，有助于大幅度提高系统能效，减少功率损耗。
- 商品型号
- NTMFS4C025N-HXY
- 商品编号
- C22367292
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
CSD16340Q3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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