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SM4803APRL-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- SM4803APRL 是一款2个P沟道沟道MOSFET，采用SOP-8封装，适合各种空间有限的电路设计。器件参数包括最大漏源电压(VDSS)为30V，能够提供5.3A的稳定漏极电流(ID)，同时拥有35mΩ的导通电阻(RD(on))，在高效能和低功耗之间取得平衡。此款MOS管广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护系统等领域，是您构建高效节能电路的理想组件。
- 商品型号
- SM4803APRL-HXY
- 商品编号
- C22367299
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
IRF7316TRPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -5.3A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 42mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关
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