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Si2301DS-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 型号Si2301DS 的P沟道MOS管采用小型SOT-23封装，特别适用于对空间要求严苛的电子设计项目。该器件具有卓越的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID高达2.3A，适用于中低电压大电流应用。其导通电阻RD(on)仅为95mR，有效降低功率损耗，提高系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑电平转换等领域，是工程师设计高效、低耗能电路的理想组件。
- 商品型号
- Si2301DS-HXY
- 商品编号
- C22367315
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |