温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC4050SSD-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此场效应管为N+P型，电流为7.2A，可满足一定功率需求。电压40V，能在特定电路中稳定工作。内阻典型值23mR，能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- DMC4050SSD-HXY
- 商品编号
- C22367332
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122613克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
DMN3110S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
相似推荐
其他推荐
- FDS4897C-HXY
- SI4925DDY-T1-GE3-HXY
- FDS6975-HXY
- Si2306BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316DS-T1-E3-HXY
- Si2304DDS-T1-GE3-HXY
- Si2366DS-T1-GE3-HXY
- Si2304BDS-T1-E3-HXY
- Si2304BDS-T1-GE3-HXY
- DMN3051L-HXY
- PMV45EN2R-HXY
- FDN359AN-HXY
- ST2304SRG-HXY
- DMN3110S-HXY
- FDN357N-HXY
- BSS316N-HXY
- FDN361BN-HXY
- IRLML2803PBF-HXY
- MGSF1N03LT1-HXY
- NDS351AN-HXY