DMC4050SSD-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7.2A
- 描述
- 此场效应管为N+P型,电流为7.2A,可满足一定功率需求。电压40V,能在特定电路中稳定工作。内阻典型值23mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- DMC4050SSD-HXY
- 商品编号
- C22367332
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122613克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
- FDS6975-HXY
- Si2306BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316DS-T1-E3-HXY
- Si2304DDS-T1-GE3-HXY
- Si2304BDS-T1-E3-HXY
- Si2304BDS-T1-GE3-HXY
- PMV45EN2R-HXY
- FDN359AN-HXY
- ST2304SRG-HXY
- FDN357N-HXY
- BSS316N-HXY
- IRLML2803PBF-HXY
- NDS351N-HXY
- NDS355AN-HXY
- NTR4503N-HXY
- ZXM61N03F-HXY
- ZXMN3A01F-HXY
- AOD66923-HXY
- DMN2016UTS-HXY
- BSZ130N03MSG-HXY
- FDS6975-HXY
- Si2306BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316DS-T1-E3-HXY
- Si2304DDS-T1-GE3-HXY
- Si2304BDS-T1-E3-HXY
- Si2304BDS-T1-GE3-HXY
- PMV45EN2R-HXY
- FDN359AN-HXY
- ST2304SRG-HXY
- FDN357N-HXY
- BSS316N-HXY
- IRLML2803PBF-HXY
- NDS351N-HXY
- NDS355AN-HXY
- NTR4503N-HXY
- ZXM61N03F-HXY
- ZXMN3A01F-HXY
- AOD66923-HXY
- DMN2016UTS-HXY
- 3MS1J102M7QES



