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PMV45EN2R-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- PMV45EN2R 是一款高性能N沟道MOS管，选用紧凑型SOT-23封装，尤其适合对空间利用有严格要求的电路设计。其核心技术指标包括最高30V的漏源极击穿电压(VDSS)，以及4A的连续漏极电流(ID)，彰显出强大的电流处理性能。更值得关注的是，该器件具有优越的导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，旨在最大程度地减少功率损耗，提高系统效能。这款MOS管广泛应用于电源转换器、充电器、电机驱动等需高效能、低阻抗元件的电子产品中。
- 商品型号
- PMV45EN2R-HXY
- 商品编号
- C22367344
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |