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FDN361BN-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- FDN361BN N沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，实现小巧尺寸与高性能的完美融合。器件在30V的VDSS下稳定工作，可承载高达4A的连续漏极电流，表现出色。其核心优势在于29mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著优化系统效率，降低能耗，适用于各类要求严苛的电源开关、负载切换以及电池管理系统，是工程师高效能设计的理想之选。
- 商品型号
- FDN361BN-HXY
- 商品编号
- C22367350
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
Si2304DDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源