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ZXM61N03F-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 此场效应管为N型，具有电流4A、电压30V的参数。内阻典型值29mR，VGS为20V。适用于多种电子设备，在电子产品的电源控制、信号处理等方面可发挥作用。其稳定的性能可保障电路的正常运行，为电子设备的可靠工作提供支持。
- 商品型号
- ZXM61N03F-HXY
- 商品编号
- C22367358
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
FDN359AN采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 4A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源