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SM2306SRL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- SM2306SRL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于小型化电子设备的设计需求。该器件关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，提供稳定的4A漏极电流输出；其低至29mΩ的导通电阻RD(on)确保了卓越的能效和低功耗表现。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池充电控制器等场合，是您追求高集成度和节能效果的理想MOS管解决方案。
- 商品型号
- SM2306SRL-HXY
- 商品编号
- C22367360
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
DMG6968UTS是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 14mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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