温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDS355N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NDS355N 是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，以紧凑体积实现高性能输出。它支持30V的最大漏源电压(VDSS)，并在满负荷下可持续提供4A的漏极电流(ID)，展现了强大的电流处理能力。此外，29mΩ的超低导通电阻(RD(on))确保了优异的能源效率，减少了不必要的能量损耗。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多元领域，是高集成度、高效能电子设计的理想选择。
- 商品型号
- NDS355N-HXY
- 商品编号
- C22367356
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ZXM61N03F采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源