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IRLML2803PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- IRLML2803PbF MOS管是一款高性能N沟道器件，采用小型化SOT-23封装，适合空间有限的设计需求。该器件具有30V的最高耐压值(VDSS)，能够提供稳定的4A漏极电流(ID)，并在导通状态下展现低至29mΩ的导通电阻(RD(on))。这款MOS管凭借其出色的开关性能与低功耗特性，广泛适用于电源管理、负载开关及各类电子设备的控制电路中，助力系统效能优化与节能升级。
- 商品型号
- IRLML2803PBF-HXY
- 商品编号
- C22367351
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NDS351N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 4A
- RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源