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NDS351AN-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- NDS351AN 是一款高效的N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装设计，特别适合空间有限且需高性能的应用环境。该器件支持最大漏源极电压VDSS为30V，并能在持续状态下处理高达4A的漏极电流。其核心技术亮点是极低的29mΩ导通电阻RD(on)，大大提升了能源利用效率，减小了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动及各类负载开关场合，是您追求高性能与节能效果的理想半导体组件。
- 商品型号
- NDS351AN-HXY
- 商品编号
- C22367353
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
NDS355AN采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源