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FDN357N-HXY
耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- FDN357N 是一款N沟道MOSFET，采用微型SOT-23封装，特别适用于紧凑型电路设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理性能。其导通电阻(RD(on))低至29mΩ，有效减少功耗，提升系统效率。FDN357N MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等各类电子设备中，是您构建高效、节能方案的理想半导体组件。
- 商品型号
- FDN357N-HXY
- 商品编号
- C22367348
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 65pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |