BSS316N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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描述
BSS316N 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，适用于紧凑型电路设计。器件支持高达30V的最大漏源电压(VDSS)，并能安全处理4A连续漏极电流(ID)，展现出优越的电流承载能力。其29mΩ的低导通电阻(RD(on))意味着在运行中将有效减少功耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等各类电子设备，是高集成度与节能性能的理想半导体组件。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
BSS316N-HXY商品编号
C22367349商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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