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FDN359AN-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- FDN359AN 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济型SOT-23封装，特别适用于紧凑空间的电路设计。器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，能持续输出4A的漏极电流(ID)，以满足不同功率需求。其引人注目的特点是导通电阻(RD(on))低至29mΩ，确保在运行过程中显著降低功耗，提升系统能效。FDN359AN MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是追求高效节能解决方案的理想之选。
- 商品型号
- FDN359AN-HXY
- 商品编号
- C22367345
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
MGSF1N03LT1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 38 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源