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Si2304DDS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- Si2304DDS-T1-GE3 是一款高效能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适合空间有限的电路设计。该器件提供了30V的最大漏源电压(VDSS)，并可支持4A连续漏极电流(ID)，确保出色的电流处理性能。其导通电阻(RD(on))低至29mΩ，有效减小功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种场景，是您的高集成度、节能型半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- Si2304DDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367339
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
Si2304BDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源