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DMN3051L-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为4A，可满足一定低功率需求。电压30V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值29mR，能量损耗适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于小型电子设备的特定电路部分。
- 商品型号
- DMN3051L-HXY
- 商品编号
- C22367343
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDS6975采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关