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Si2366DS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
- 描述
- Si2366DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代精密电子设备设计。器件亮点包括最大工作电压VDSS高达30V，能稳定输送4A的漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)仅为29mΩ，确保低功耗和高效率运作。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护等领域，是您追求高性能与节能方案的理想N沟道MOS管选择。
- 商品型号
- Si2366DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367340
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |