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Si2366DS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- Si2366DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代精密电子设备设计。器件亮点包括最大工作电压VDSS高达30V，能稳定输送4A的漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)仅为29mΩ，确保低功耗和高效率运作。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护等领域，是您追求高性能与节能方案的理想N沟道MOS管选择。
- 商品型号
- Si2366DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367340
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SSM3K333R采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 5.8 A
- RDS(ON) < 28 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源