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Si2304BDS-T1-GE3-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- Si2304BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOT-23封装，专为紧凑型电子设备设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A连续漏极电流(ID)，提供强大的电流处理能力。其低至29mΩ的导通电阻(RD(on))，有利于降低系统功耗并提高能效。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场合，是追求高集成度与节能效果的理想半导体组件。
- 商品型号
- Si2304BDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367342
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMC4050SSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 7.2A
- RDS(ON) < 26mΩ（VGS = 10V时）
- VDS = -40V，ID = 6.5A
- RDS(ON) < 44mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源