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Si2316BDS-T1-GE3-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- Si2316BDS-T1-GE3 是一款高效能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微小化电子设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，能承载4A连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，有效减少功耗，提升系统能效比。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等场景，以卓越的性能与稳定性成为高集成度、低功耗解决方案的理想组件。
- 商品型号
- Si2316BDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367337
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
Si2366DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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