Si2316DS-T1-E3-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:4A

描述

Si2316DS-T1-E3 是一款采用先进N沟道技术的MOS管，封装小巧的SOT-23，尤其适合空间受限的设计需求。其电气特性出色，具备30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承受4A的连续漏极电流(ID)，确保了强大的电流处理性能。而29mΩ的导通电阻(RD(on))使得器件在工作状态下功耗更低，提升整体能效。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是高效、节能半导体解决方案的理想之选。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

Si2316DS-T1-E3-HXY

商品编号

C22367338

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.037273克(g)