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Si2306BDS-T1-GE3-HXY

N沟道耐压:30V 电流:4A

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描述: Si2306BDS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用轻巧的SOT-23封装，专为高集成度电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，并可承载4A的连续漏极电流(ID)，确保稳定可靠的功率传输。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，显著降低系统功耗，提升整体能效。这款MOS管凭借优秀的电气性能，广泛应用于电源转换、负载开关、马达驱动等多种电子设备中，是紧凑且高效能半导体解决方案的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: Si2306BDS-T1-GE3-HXY
商品编号: C22367336
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036364克(g)

商品参数

BSL215CH6327采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。