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FDS4897C-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7.2A
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- 描述
- FDS4897C N+P沟道MOS管采用精巧的SOP-8封装，专为高效能、节省空间的设计方案打造。本器件具有40V的高耐压VDSS，支持高达7.2A的连续漏极电流ID，确保在各种负载条件下稳定运行。其独特优势在于23mR的超低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统效率，广泛适用于电源转换、电池保护、电机驱动等对电流控制精度及能效要求较高的应用场景。
- 商品型号
- FDS4897C-HXY
- 商品编号
- C22367333
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
SI4925DDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
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