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SI4925DDY-T1-GE3-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- SI4925DDY-T1-GE3 是一款2个P沟道沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于现代电子设备的高效集成设计。该器件具备30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID，展示出优良的电力控制性能。其导通电阻RD(on)为14mΩ，能在有效控制功耗的同时提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理、负载开关以及其他需要高效低耗能MOS管的场合，是您实现精准控制与节能设计的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI4925DDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367334
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
AON6413采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -70A
- RDS(ON) < 8.8mΩ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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