FDS6975-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- FDS6975 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET,采用节省空间的SOP-8封装设计,适用于各种电子设备的高集成应用。该器件提供30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID,展现出强大的电力控制能力。其14mΩ的导通电阻RD(on)确保了在运行过程中的低功耗和高能效表现。FDS6975 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域,是您构建高效、节能电路的理想半导体组件。
- 商品型号
- FDS6975-HXY
- 商品编号
- C22367335
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
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