嘉立创上市
购物车0
FDS6975-HXY实物图
  • FDS6975-HXY商品缩略图
  • FDS6975-HXY商品缩略图
  • FDS6975-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS6975-HXY

2个P沟道 耐压:30V 电流:11A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
FDS6975 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET,采用节省空间的SOP-8封装设计,适用于各种电子设备的高集成应用。该器件提供30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID,展现出强大的电力控制能力。其14mΩ的导通电阻RD(on)确保了在运行过程中的低功耗和高能效表现。FDS6975 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域,是您构建高效、节能电路的理想半导体组件。
商品型号
FDS6975-HXY
商品编号
C22367335
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.117克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.345nF
反向传输电容(Crss)158pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)194pF

数据手册PDF