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FDS6975-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- FDS6975 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装设计，适用于各种电子设备的高集成应用。该器件提供30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID，展现出强大的电力控制能力。其14mΩ的导通电阻RD(on)确保了在运行过程中的低功耗和高能效表现。FDS6975 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电路的理想半导体组件。
- 商品型号
- FDS6975-HXY
- 商品编号
- C22367335
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDS4897C采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 7.2A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 26mΩ
- VDS = -40V，ID = 6.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 44mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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