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AON6413-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- AON6413 是一款采用小型化DFN5X6-8L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度和低能耗应用设计。它具备30V的额定电压VDSS，能轻松承载高达70A的连续电流，充分展现强大的电流传导能力。尤为出众的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mR，极大优化了系统能效，降低了损耗。无论是电源转换、电池管理系统还是高效节能设备，AON6413 都能以其卓越的电气性能，成为您理想的半导体组件选择。
- 商品型号
- AON6413-HXY
- 商品编号
- C22367328
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
Si2306BDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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