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AON7409-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- AON7409 是一款选用DFN5X6-8L封装的高端P沟道MOSFET，旨在实现高效能与紧凑设计的完美融合。器件支持的最大工作电压VDSS为30V，具备70A的强大电流处理能力，适用范围广泛。尤其值得称道的是其6mR的超低导通电阻RD(on)，在确保高电流传输的同时，显著减少了功率损耗，从而提升整个系统的能效比。
- 商品型号
- AON7409-HXY
- 商品编号
- C22367329
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1425克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
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