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BSL215CH6327-HXY
1个N沟道+1个P沟道
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- 描述
- 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作……
- 商品型号
- BSL215CH6327-HXY
- 商品编号
- C22367330
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02953克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
BSH205G2A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
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