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SI1032R-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- SI1032R-T1-GE3 是一款高端N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-523封装设计，适用于空间有限的应用场景。器件特点鲜明，具有20V的VDSS电压，可承载0.8A连续电流ID，而其优异的导通电阻RD(on)低至180mR，确保了高效能和低功耗运行。此款MOS管适用于电源转换、电池管理系统、消费电子等多种领域，是提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- SI1032R-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367331
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品概述
ST2304采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 5.8 A
- RDS(ON) < 28 mΩ@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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