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BSS215P-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流2.3A，可满足一定功率的电流需求。电压为20V，在一般电子设备的电压范围内较为稳定。内阻典型值120mR，VGS为12V。适用于各类消费电子产品，如小型电子产品的电源管理部分，能有效控制电流、稳定电压，减少能量损耗。
- 商品型号
- BSS215P-HXY
- 商品编号
- C22367319
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDN336P采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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