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SM3404SRL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- SM3404SRL 是一款高性能N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装，适合集成到紧凑型电子设计中。其规格出众，额定电压VDSS高达30V，可持续承载5.8A的电流ID，体现强大的电力处理性能。尤其值得关注的是，器件的导通电阻RD(on)仅22mΩ，有助于大幅度减少功率损耗，提升系统能效。SM3404SRL 适用于多种应用场合，如电源转换、负载开关和低压电机驱动等，是您优化电路设计的理想半导体组件。
- 商品型号
- SM3404SRL-HXY
- 商品编号
- C22367327
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NX2301PVL采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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