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FDN336P-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- FDN336P 是一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管，具有小巧高效的特性。其额定电压高达20V，连续电流可达2.3A，确保了强大的电源处理能力。导通电阻仅为95mΩ，有效降低功耗，提升系统能效。适用于各类低电压、大电流开关电路设计，是您电子项目中的理想选择。
- 商品型号
- FDN336P-HXY
- 商品编号
- C22367320
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDN336P采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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