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FDN336P-HXY

1个P沟道耐压:20V 电流:2.3A

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描述: FDN336P 是一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管，具有小巧高效的特性。其额定电压高达20V，连续电流可达2.3A，确保了强大的电源处理能力。导通电阻仅为95mΩ，有效降低功耗，提升系统能效。适用于各类低电压、大电流开关电路设计，是您电子项目中的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDN336P-HXY
商品编号: C22367320
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028克(g)

商品参数

AO3406采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。