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AO3406-HXY实物图
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AO3406-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
AO3406 是一款N沟道MOSFET,采用小型SOT-23-3L封装,特别适用于有限空间内的电路布局。本器件额定电压VDSS为30V,峰值电流ID高达5.8A,展现出优越的电力驱动能力。其导通电阻RD(on)低至22mΩ,有效降低系统内阻,提升整体能效。AO3406 是电源转换、负载开关控制以及低压马达驱动等应用场合的理想半导体组件,以稳定的性能和紧凑设计满足多样化电路需求。
商品型号
AO3406-HXY
商品编号
C22367326
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)5.2nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)255pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF