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AO3406-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- AO3406 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，特别适用于有限空间内的电路布局。本器件额定电压VDSS为30V，峰值电流ID高达5.8A，展现出优越的电力驱动能力。其导通电阻RD(on)低至22mΩ，有效降低系统内阻，提升整体能效。AO3406 是电源转换、负载开关控制以及低压马达驱动等应用场合的理想半导体组件，以稳定的性能和紧凑设计满足多样化电路需求。
- 商品型号
- AO3406-HXY
- 商品编号
- C22367326
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si2301ADS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且可在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET
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