ST2304-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 型号ST2304 的N沟道MOS管,采用小型化SOT-23-3L封装,极其适合于紧凑型电子设备设计。该器件具备强大的电性能参数,工作电压VDSS高达30V,连续电流ID承载能力高达5.8A,确保在高负载条件下稳定运行。其亮点在于超低导通电阻RD(on),仅为22mR,有助于降低功耗,提升整体系统效能。广泛运用于电源管理、开关调节、电机驱动等应用领域,是工程师实现高效率、节能设计的理想选择。
- 商品型号
- ST2304-HXY
- 商品编号
- C22367324
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
NTTFS5C478NL采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性与适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
相似推荐
其他推荐
- SSM3K335R-HXY
- AO3406-HXY
- SM3404SRL-HXY
- AON6413-HXY
- AON7409-HXY
- BSL215CH6327-HXY
- SI1032R-T1-GE3-HXY
- DMC4050SSD-HXY
- FDS4897C-HXY
- SI4925DDY-T1-GE3-HXY
- FDS6975-HXY
- Si2306BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316BDS-T1-GE3-HXY
- Si2316DS-T1-E3-HXY
- Si2304DDS-T1-GE3-HXY
- Si2366DS-T1-GE3-HXY
- Si2304BDS-T1-E3-HXY
- Si2304BDS-T1-GE3-HXY
- DMN3051L-HXY
- PMV45EN2R-HXY
- FDN359AN-HXY
