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ST2304-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ST2304-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
型号ST2304 的N沟道MOS管,采用小型化SOT-23-3L封装,极其适合于紧凑型电子设备设计。该器件具备强大的电性能参数,工作电压VDSS高达30V,连续电流ID承载能力高达5.8A,确保在高负载条件下稳定运行。其亮点在于超低导通电阻RD(on),仅为22mR,有助于降低功耗,提升整体系统效能。广泛运用于电源管理、开关调节、电机驱动等应用领域,是工程师实现高效率、节能设计的理想选择。
商品型号
ST2304-HXY
商品编号
C22367324
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.2nC@10V
输入电容(Ciss)255pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

商品概述

NTTFS5C478NL采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性与适用性。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 40 A
  • 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ

应用领域

  • 消费电子电源
  • 电机控制
  • 同步整流
  • 隔离式直流
  • 同步整流应用

数据手册PDF