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NX2301PVL-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NX2301PVL-HXY

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A

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描述
NX2301PVL 是一款P沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23封装,专为现代小型化电子产品设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS),能够承载稳定的2.3A漏极电流(ID),并配备95mΩ的低导通电阻(RD(on)),确保在低电压、中等电流应用中发挥高效性能。这款MOS管适用于电源管理、负载开关控制、逻辑电平转换等用途,是实现高集成度、节能型电子系统的重要组成部分。
商品型号
NX2301PVL-HXY
商品编号
C22367321
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)650mW
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)285pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)58pF

数据手册PDF