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BSH205G2A-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，具有以下参数：电流为2.3A，电压为20V，内阻典型值为120mR，VGS为12V。它适用于多种电子产品中，可在中小功率的电路设计中发挥作用。例如在一些消费电子设备的电源管理部分，能够实现高效的电流控制和电压调节，确保设备稳定运行，同时其较低的内阻也有助于减少能量损耗。
- 商品型号
- BSH205G2A-HXY
- 商品编号
- C22367317
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
NVTFS015N04C采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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