温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS215PH6327XTSA1-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 型号BSS215PH6327XTSA1 的P沟道MOS管，采用小型化SOT-23封装，为现代紧凑型电子设计提供了理想的解决方案。该器件具备出色的电气性能，最高工作电压VDSS高达20V，连续电流ID可承载2.3A，适合中低电压应用场合。导通电阻RD(on)仅为95mR，有助于减少功率损耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换器等领域，是工程师构建高效节能电子系统的精选MOS管器件。
- 商品型号
- BSS215PH6327XTSA1-HXY
- 商品编号
- C22367318
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
NVTFS5C478NL采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性和适用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用
相似推荐
其他推荐