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BSS215PH6327XTSA1-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 型号BSS215PH6327XTSA1 的P沟道MOS管，采用小型化SOT-23封装，为现代紧凑型电子设计提供了理想的解决方案。该器件具备出色的电气性能，最高工作电压VDSS高达20V，连续电流ID可承载2.3A，适合中低电压应用场合。导通电阻RD(on)仅为95mR，有助于减少功率损耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换器等领域，是工程师构建高效节能电子系统的精选MOS管器件。
- 商品型号
- BSS215PH6327XTSA1-HXY
- 商品编号
- C22367318
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
BSS215PH6327XTSA1采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET
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