温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si2301ADS-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 型号Si2301ADS 的P沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，特别适合小型化电子产品设计。该器件提供稳定可靠的性能，工作电压VDSS高达20V，连续电流ID可达2.3A，满足中低电压大电流应用场景。导通电阻RD(on)低至95mR，有效减少功率损耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换器等各类电路设计中，是工程师构建高效节能系统的理想MOS管选择。
- 商品型号
- Si2301ADS-HXY
- 商品编号
- C22367316
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
Si2301DS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -2.3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 140mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐